FDPF7N60NZ 全新原裝正品 優(yōu)勢(shì)價(jià)格

• 發(fā)布時(shí)間：2015/5/18 11:34:30
• 所屬類別：晶體 » 其它晶體元件
• 公    司：深圳市凱富欣科技有限公司

FDPF7N60NZ 全新原裝正品 優(yōu)勢(shì)價(jià)格屬性

FDPF7N60NZ 全新原裝正品 優(yōu)勢(shì)價(jià)格描述

這些n溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)——轉(zhuǎn)機(jī)職權(quán)范圍生產(chǎn)使用飛兆的專有,平面內(nèi)縞,延遲性肌肉酸痛的技術(shù)。這種推進(jìn)技術(shù)特別適合迷你麥斯開態(tài)電阻,提供優(yōu)越的切換、-曼斯,承受高能量脈沖雪崩和commutationmode。 這些設(shè)備非常適合高有效率-高效開關(guān)電源,功率因數(shù)和活躍支配。

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這些n溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管生產(chǎn)使用飛兆的專有,平面條紋,DMOS結(jié)構(gòu)技術(shù)。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合最小化使用狀態(tài)阻力,提供優(yōu)越的切換性能和承受高能量脈沖雪崩和變

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這產(chǎn)生n溝道MOSFET使用飛兆半導(dǎo)體-油墨輥的先進(jìn)PowerTrench espe——的過程臉部用的適合開態(tài)阻力而最小化保持優(yōu)越的切換性能。

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這些n溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管生產(chǎn)使用飛兆的專利,平面內(nèi)縞,DMOS結(jié)構(gòu)技術(shù)。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合減少開態(tài)電阻,提供優(yōu)越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式

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UniFETTM 二世MOSFET飛兆半導(dǎo)體公司®高伏特基于先進(jìn)的平面條紋和年齡MOSFET家庭DMOS結(jié)構(gòu)技術(shù)。 這種先進(jìn)的家庭的MOSFET最小的

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