H5TQ2G63BFR-PBC

• 發(fā)布時(shí)間：2015/11/13 11:34:43
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H5TQ2G63BFR-PBC屬性

H5TQ2G63BFR-PBC描述

H5TQ2G63BFR-PBC

描述

H5TQ2G63BFR是2,147,483,648位CMOS雙數(shù)據(jù)速率III(DDR3)同步DRAM,適合的主內(nèi)存的應(yīng)用程序需要大內(nèi)存密度和高帶寬。海力士2 GB DDR3 內(nèi)部提供充分完全同步操作參考時(shí)鐘的上升和下降的邊緣。盡管所有地址和控制輸入閂鎖的邊緣上升CK(CK)的邊緣下降,數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)用閃光燈和面具寫(xiě)入數(shù)據(jù)采樣是在上升和下降的邊緣。數(shù)據(jù)路徑內(nèi)部流水線和8位預(yù)取的實(shí)現(xiàn)非常高的帶寬。

H5TQ2G63BFR-PBC

特性

•VDD = VDDQ = 1.5 v + / - 0.075 v 　　
•完全微分時(shí)鐘輸入(CK、CK)操作斯特羅布
•微分?jǐn)?shù)據(jù)(dq,dq)
•在芯片DLL對(duì)齊DQ、DQ和DQ與CK過(guò)渡過(guò)渡　　
•DM面具寫(xiě)數(shù)據(jù)輸入在上升和下降斯特羅布的邊緣數(shù)據(jù)　　
•所有地址和控制輸入數(shù)據(jù)除外,數(shù)據(jù)用閃光燈和數(shù)據(jù)掩蓋了鎖定的上升的邊緣的時(shí)鐘　　
•可編程CAS延遲6、7、8、9、10、11、12、13 和14個(gè)支持　　
•可編程添加劑延遲0,CL-1,CL-2 支持　　
•可編程CAS寫(xiě)延遲(CWL)= 5,6,7,8,9 　　　　
•可編程脈沖串長(zhǎng)度與咬4/8順序和交錯(cuò)模式　　
•提單開(kāi)關(guān)
•8銀行　　
•平均刷新周期(Tcase 0攝氏度~ 95攝氏度) - 7.8μs在0攝氏度~ 85 oC - 3.9μs在85度~ 95度　　
•汽車自我更新的支持　　
•96年JEDEC標(biāo)準(zhǔn)球FBGA(x16) 　　
•驅(qū)動(dòng)力量選擇電子病歷　　
•動(dòng)態(tài)模終止支持　　
•異步復(fù)位銷支持　　
•ZQ校準(zhǔn)支持　　
•寫(xiě)Levelization支持　　
•在死熱傳感器的支持　　
•8位預(yù)取
模式寄存器MR1
　模式寄存器MR1存儲(chǔ)數(shù)據(jù)啟用,禁用DLL,輸出驅(qū)動(dòng)力量,Rtt_Nom阻抗、添加劑延遲寫(xiě)水準(zhǔn)啟用,TDQS啟用和Qoff。模式寄存器1是寫(xiě)的主張低CS,RAS,中科院,我們,BA0和低BA1 BA2高,同時(shí)控制的狀態(tài)地址。

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