FDV303N
FDV303N屬性
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- FAIRCHILD
FDV303N描述
FDV303N 概述
這些N溝道增強型場效應(yīng)晶體管是
采用飛兆半導(dǎo)體專有的,高密度,DMOS生產(chǎn)
技術(shù)。這非常高密度的過程
針對減少通態(tài)電阻低柵極驅(qū)動條件。
該器件是專為使用任何一個鋰或三個
鎘或NMH電池在電池電路應(yīng)用而設(shè)計。
它可以作為一個
逆變器或高效率的小型獨立的DC/ DC
轉(zhuǎn)換的小型便攜式電子設(shè)備,如蜂窩
手機和傳呼機。該器件具有極佳的狀態(tài)
即使在柵極驅(qū)動電阻電壓低至2.5伏
FDV303N 產(chǎn)品特點
1. 25 V,0.68連續(xù),2 A峰值。
RDS(ON)=0.45瓦@ VGS=4.5 V
RDS(ON)=0.6瓦@ VGS=2.7V
2. 非常低的水平柵極驅(qū)動要求可直接
操作3V電路。 VGS(TH)<1.5V
3. 門源齊納為ESD堅固性。>6kV的人體模型
4. 緊湊型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-23表面貼裝包。
5. 替代TN0200T和TN0201T
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