PSMN4R6-60PS

• 發(fā)布時間：2020/3/30 9:03:47
• 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
• 公    司：深圳市金嘉銳電子有限公司
• 聯(lián) 系 人：朱先生
• 

PSMN4R6-60PS屬性

PSMN4R6-60PS描述

產(chǎn)品種類: MOSFET
制造商: Nexperia
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.8 V
Qg-柵極電荷: 70.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
封裝: Tube
通道模式: Enhancement
商標(biāo): Nexperia
配置: Single
下降時間: 22 ns
高度: 9.4 mm
長度: 10.3 mm
Pd-功率耗散: 211 W
上升時間: 24 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: N-Channel 60 V 4.6 mOhms Standard Level MOSFET in TO220
典型關(guān)閉延遲時間: 58 ns
典型接通延遲時間: 26 ns
寬度: 4.7 mm

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