高速PN、PIN、APD等光電探測器
高速PN、PIN、APD等光電探測器屬性
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高速PN、PIN、APD等光電探測器描述
產(chǎn)品名稱: 高速PN、PIN、APD光電探測器
產(chǎn)品規(guī)格: PN、PIN 、 APD、PbS、PbSe、HgCdTe
產(chǎn)品介紹: 商運(yùn)達(dá)公司提供新一代高性能紫外、可見光、紅外光電探測器和組件,服務(wù)于商用,軍事/航空,醫(yī)療,和消費(fèi)類市場。產(chǎn)品分類:
一、InGaAsAPD/PIN光電探測器:
1、InGaAsAPD光電探測器:(900nm-1700nm)高質(zhì)量陶瓷以及光纖封裝。典型應(yīng)用于通信,數(shù)據(jù)傳輸,人眼安全激光測距機(jī)等。
型號:C30644E、C30645E、C30733、C30662E
2、InGaAsPIN(小面積)光電探測器:(900nm-1700nm)高質(zhì)量陶瓷以及光纖封裝。典型應(yīng)用于通信,數(shù)據(jù)傳輸,儀表等。
型號:C30616E、C30637E
3、InGaAsPIN(大面積)光電探測器:(900nm-1700nm)高質(zhì)量窗口以及光纖封裝。典型應(yīng)用于光功率表,人眼安全激光通信,儀表等。
型號:C30619G、C30641G、C30665G、C30723G
4、InGaAsPIN(大面積)擴(kuò)展波長光電探測器:(1um-2.5um)高質(zhì)量陶瓷封裝,提供不帶制冷器、一級制冷器和二級制冷器三種封裝的產(chǎn)品。典型應(yīng)用于非破壞性檢查,水汽測量,生物化學(xué)應(yīng)用,環(huán)境監(jiān)控等,需要相關(guān)資料,請咨詢。
二、SiliconAPD光電探測器:
1、SiliconAPD標(biāo)準(zhǔn)雪崩管:(400nm-1100nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于熒光探測,小信號快速探測,LIDAR,光子計(jì)數(shù),數(shù)據(jù)傳輸,儀表,自適應(yīng)光學(xué),共焦微透鏡等。
型號:C30817E、C30872E、C30902E、C30916E
2、SiliconAPD光電探測器陣列:(400nm-1100nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于LIDAR,分光鏡,粒子探測,自適應(yīng)光學(xué),跟蹤系統(tǒng)等。
型號:四象限陣列C30927E、線性陣列C30985E
3、SiliconAPD低價(jià)格光電探測器:(400nm-1100nm)大量,低價(jià)格探測器。典型應(yīng)用于激光測距,防碰撞系統(tǒng)等。
型號:低增益C30724、高增益C30737E
4、SiliconAPD熱電致能型光電探測器:(400nm-1100nm)帶一級或者兩級熱電致冷器,冷卻APD,減少小信號探測時(shí)的熱噪聲,內(nèi)部集成的熱電阻用來溫度監(jiān)控以及致冷器控制。典型應(yīng)用于小信號熒光探測,光子計(jì)數(shù),快速或者微弱信號探測,自適應(yīng)光學(xué)等。型號:C30902S-TC,C30902S-DTC
5、SiliconAPD近紅外增強(qiáng)型(1.064um)光電探測器:密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于LIDAR,紅外激光測距,熒光探測,快速或者小信號探測。
型號:C30954E,C30955E,C30956E
6、SiliconAPD光纖耦合型光電探測器:光纖耦合封裝。典型應(yīng)用于光纖數(shù)據(jù)傳輸,遠(yuǎn)程光傳感器,小信號探測等。
型號:C30921
7、SiliconAPD輻射探測器:大光敏面積,平板封裝。典型應(yīng)用于直接探測光,x-Rays,電子的輻射。
型號:C30626,C30703
三、SiliconPIN光電探測器:
1、SiliconPIN窗口以及光纖封裝光電探測器:(400nm-1100nm)高速,P型設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用于快速激光脈沖探測,光纖通訊,儀表等。
型號:C30971
2、SiliconPIN大面積光電探測器:(400nm-1100nm)高質(zhì)量,高速度,N型設(shè)計(jì),密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于激光探測系統(tǒng),快速脈沖探測,儀表等。
型號:FFD-100、FFD-200
3、SiliconPIN四象限光電探測器:(220nm-1100nm)N型設(shè)計(jì),密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于光斑位置跟蹤,測量脈沖激光或者連續(xù)激光x-軸和y-軸的方向。
型號:C30845E、UV-140BQ-4、YAG-444-4A
4、SiliconPIN標(biāo)準(zhǔn)N型光電探測器:(400nm-1100nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于激光探測系統(tǒng),光度計(jì),數(shù)據(jù)傳輸,儀表等。
型號:C30807E、C30808E、C30822E、C30809E、C30810E
5、SiliconPIN紫外增強(qiáng)型光電探測器:(220nm-1100nm)低噪聲,標(biāo)準(zhǔn)N型設(shè)計(jì),密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于紫外光表,可見光表,光度計(jì),熒光探測,分光鏡,微光探測傳感器,儀表等。
型號:UV-040BQ、UV-100BQ、UV-215BQ、UV-140BQ
6、Silicon/Silicon雙色光電探測器:(400nm-1100nm),DTC系列包括兩個(gè)探測器,密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于雙波長功率表,雙色溫度測量等。
型號:DTC140
7、SiliconPIN表面貼裝光電探測器:CFD10、CR10DE、CR50DE、SR10BP、SR10BP-B6、SiliconPIN低帶寬(1kHz-50kHz)光電探測模塊:(220nm-1100nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于紫外信號探測,光度計(jì)等。
型號:HUV-2000B、HUV-1100BG
8、窄光譜響應(yīng)光電探測器SR10SPD系列,不需要額外的濾波器,表面貼裝。
型號:SR10SPD 470-0.9 ( 470nm中心波長)、SR10SPD 525-0.9 ( 525nm中心波長)、SR10SPD 880-0.9 ( 880nm中心波長)
9、SiliconPIN/APD高帶寬(40MHz-100MHz)光電探測模塊:(400nm-1100nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于激光信號探測,儀表等。
型號:C30608E、C30950E、C30919E
10、Silicon/InGaAs APD高帶寬(50MHz-200MHz)光電探測模塊:(400nm-1700nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于激光信號探測,儀表等。
型號:C30659-900-R5B、C30659-900-R8A、C30659-1060-R8B、C30659-1060-3A、C30659-1550-R08B、C30659-1550-R2(C30659E-CD2982)
四、SiliconPN硅光電池:
VTB系列紫外增強(qiáng)硅光電池(190nm-1100nm),增強(qiáng)光譜從UV(190nm)-NearIR(900nm),高阻抗,低噪聲,低暗電流,適合光電型、弱信號探測應(yīng)用。有效探測面積從1.6mm²— 37.7mm²。封裝型式包括TO-46、TO-18、TO-5、TO-8封裝,石英和紫外窗口陶瓷封裝。典型應(yīng)用:紫外、可見、紅外分光光度計(jì)、生化分析儀、驗(yàn)鈔機(jī)、紫外曝光表、紫外水質(zhì)凈化、熒光探測,以及其它分光鏡應(yīng)用。
VTP系列,VTS系列硅光電池探測器,低價(jià)格,極好的光電流線性,快速響應(yīng)時(shí)間,探測可見光以及近紅外光源,例如LED,氖燈,熒光燈,NIR激光管,火焰,陽光以及其它光源。典型應(yīng)用:NIR傳感器,醫(yī)療紅外傳感器,紅外安全設(shè)備,工業(yè)用紅外傳感器,紅外接近傳感器,紅外激光探測器。
VTA系列硅光電池探測器陣列,64單元。
五、波長傳感器(450-900nm),可準(zhǔn)確檢測確定單色激光或者LEDS光源的單色光的波長,與其他同類產(chǎn)品不同的是,其輸出不受所測光線強(qiáng)度的影響,光譜分辨率:0.01nm。
六、紅外光電探測器(探測器類型Silicon-Germanium-InGaAs-exInGaAs-InAs-InSb-PbS-PbSe-HgCdTe),能夠靈敏探測在0.2-40+microns波長范圍內(nèi)的紅外光,以其在長波長方面的高靈敏度和快速探測,具有獨(dú)特的優(yōu)勢。這些探測器工作在室溫或者TE-Cooled情況下,各種TO類型封裝。典型應(yīng)用:脈沖、調(diào)制和連續(xù)CO2激光輻射探測和監(jiān)控,外差式檢波探測,2to12µm低頻和高頻調(diào)制輻射探測,激光測量,激光預(yù)警接收器,激光雷達(dá)、激光測距和激光通訊,追蹤、定位系統(tǒng),行掃描儀,快速多色高溫計(jì),紅外分光光度計(jì),熱成像掃描儀,遙感,氣體分析,火焰探測器,人體探測等。
如果需要硅(Si)、鍺(Ge)、銦稼砷(InGaAs)、硫化鉛(PbS)、硒化鉛(PbSe)、銻鎘汞(HgCdTe)等探測器的相關(guān)資料,請隨時(shí)聯(lián)系!
APD - C30659 Series – 900/1060/1550/1550E Si and InGaAs APD Preamplifier Modules
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APD - C30737 and C30724 for Range Finding Applications
APD - C30737 and C30724 High Speed, Low Voltage Si
APD - C30737 High Speed, Low Voltage APD; C30724 Low Temperature Coefficient APD
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APD - C30737CH Series in side-looking LLC Package for laser meter, range-finding, and area scanning applications
APD - C30737PH and C70737LH for Range Finding and Laser Meters
APD - C30737PH and C70737LH for Range Finding and Laser Meters
APD - C30739ECERH Large Area Silicon Avalance Photodiodes - Short Wavelength Enhanced
APD - C30739ECERH UV-enhanced, for High Energy Radiation Detection Applications and Molecular Imaging
APD - C30739ECERH UV-enhanced, for High Energy Radiation Detection Applications and Molecular Imaging
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APD - C30902 Series High-speed Si APDs for Analytical and Biomedical Lowest-Light Detection Applications
APD - C30902 Silicon InGaAs APDs
APD - C30927 and C30985E for High-Performance Applications
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APD - C30985E 25-Element Linear Array
APD - C30985E Si APD Arrays for Analytical Applications
APD - C30985E Si APD Arrays for Analytical Applications
APD - C30985E Si APD Arrays for Analytical Applications
APD - LLAM Series High-speed, low-light Analog Receiver Modules
PMT光電倍增管及模塊
英國ET Enterprises公司——光電倍增管專業(yè)生產(chǎn)商
英國ET Enterprises公司由著名的EMI公司光電倍增管事業(yè)部組建而成,是世界上最早研制、生產(chǎn)光電倍增管的廠家,已經(jīng)擁有70多年的歷史。針對各種光信號檢測,尤其是微弱光信號,ET公司為您提供高性能、低噪聲、高穩(wěn)定性的光電倍增管產(chǎn)品。
光電倍增管(PMT)
Ø 藍(lán)綠光靈敏型PMT
采用藍(lán)光靈敏的雙堿陰極,側(cè)窗式或端窗式,各種尺寸可選
Ø 綠光靈敏型PMT
采用綠光靈敏的雙堿陰極,各種尺寸可選
Ø 紅光/紅外光靈敏型PMT
采用紅光/紅外光靈敏的多堿陰極,建議與制冷室配合使用
Ø 日盲管PMT
采用只對紫外/真空紫外靈敏的陰極材料,最短波長可到110nm
Ø 耐高溫型PMT
采用耐高溫的雙堿陰極,最高可到200度,金屬陶瓷封裝或玻璃封裝。針對石油勘探、航空航天應(yīng)用,提供耐高溫、抗強(qiáng)沖擊震動(dòng)的產(chǎn)品
Ø 耐沖擊振動(dòng)型PMT
光電倍增管附件
PMT制冷室
管套
磁屏蔽
管座及分壓器
放大器/鑒別器
門控裝置
英國Sens-Tech公司——PMT模塊
英國Sens-Tech公司的前身是著名的EMI公司,是X射線探測器、信號數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和光電倍增管模塊產(chǎn)品的專業(yè)供應(yīng)商,在光電探測領(lǐng)域擁有豐富的成功經(jīng)驗(yàn)。Sens-Tech的產(chǎn)品集信號探測、模擬信號放大、數(shù)字輸出于一體,有多種控制功能可供選擇,可方便地與計(jì)算機(jī)連接,實(shí)現(xiàn)圖像或信號的數(shù)字化處理
■ 光電倍增管模塊系列
Sens-Tech為您提供模塊化的光電倍增管產(chǎn)品,即插即用、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠,既縮短了開發(fā)周期,又降低了生產(chǎn)成本。光電倍增管模塊可集成光電倍增管、管座、分壓器、放大器、放大/鑒別器、計(jì)數(shù)器、門控電路等,提供的產(chǎn)品組合超過200多種。
■ HVSys----多通道高壓電源控制系統(tǒng)
主要特點(diǎn)
省去了眾多昂貴的高壓連接線和接插件
單個(gè)PCI卡可以控制254個(gè)獨(dú)立的管座電源
增加RS485卡可對系統(tǒng)做進(jìn)一步擴(kuò)展
可編程設(shè)定及監(jiān)視系統(tǒng)各項(xiàng)參數(shù)
消除了電子抖動(dòng)的影響
圖形界面顯示各項(xiàng)參數(shù)
易于維護(hù)
■ 光子計(jì)數(shù)模式
工作于光子計(jì)數(shù)模式,可輸出TTL信號,或通過
RS232直接與計(jì)算機(jī)連接
光子計(jì)數(shù)模式下計(jì)數(shù)率可達(dá)100MHz
X射線檢測計(jì)數(shù)率可達(dá)10MHz
帶制冷的模塊可顯著降低暗計(jì)數(shù)值
■ 模擬信號探測模式
輸出模擬電流或電壓信號
快速檢測細(xì)菌活性
檢測SOx和NOx含量
過程控制
■ 高壓電源
管座型高壓電源
模塊型高壓電源
臺(tái)式高壓電源
主要特點(diǎn)有低噪聲、快速響應(yīng)、高靈敏度、高帶寬、高增益、低造價(jià)、受光面大小可選,主要用于雪崩光電二極管單光子探測器,激光探測、測距、激光測距、激光經(jīng)緯儀、警戒雷達(dá)、熒
光檢測、微弱光檢測及高端醫(yī)療設(shè)備等,典型型號有AD230-8 TO52S1、AD230-8 TO52S3、AD230-9 TO52S1、AD230-8 TO52S3、AD500-8 TO52S1、AD500-9 TO52S3、AD500-8 TO52S3、AD500-9 TO52S1等
APD雪崩二極管選型資料
一、系列8(高速高增益雪崩二極管)
型號
受光面積
響應(yīng)波長
實(shí)物
芯片
封裝
尺寸
mm
面積
mm2
波峰
nm
響應(yīng)波段nm
AD230-8
TO52S1
0.23
0.042
800
400-1100
1
AD230-8
TO52S3
0.23
0.042
800
400-1100
2
AD500-8
TO52S1
0.5
0.196
800
400-1100
3
AD500-8
TO52S3
0.5
0.196
800
400-1100
4
AD800-8
TO5i
0.8
0.5
800
400-1100
5
AD1100-8
TO5i
1.13
1
800
400-1100
6
AD1900-8
TO5i
1.95
3
800
400-1100
7
AD2500-8
TO5i
2.52
5
800
400-1100
8
AD100-8
TO52S1
0.1
0.00785
800
400-1100
9
二、系列9(近紅外增強(qiáng)雪崩二極管)
型號
受光面積
響應(yīng)波長
實(shí)物
芯片
封裝
尺寸
mm
面積
mm2
波峰
nm
響應(yīng)波段nm
AD230-9
TO52S1
0.23
0.042
880
400-1100
1
AD230-9
TO52S3
0.23
0.042
880
400-1100
2
AD500-9
TO52S1
0.5
0.196
880
400-1100
3
AD500-9
TO52S3
0.5
0.196
880
400-1100
4
AD800-9
TO5i
0.8
0.5
880
400-1100
5
AD1100-9
TO5i
1.13
1
880
400-1100
6
AD1900-9
TO5i
1.95
3
880
400-1100
7
AD2500-9
TO5i
2.52
5
880
400-1100
8
AD3000-9
TO5i
3.0
7.0
880
400-1100
9
AD5000-9
TO5i
5.0
20.0
880
400-1100
10
三、系列10(YAG增強(qiáng)雪崩二極管)
型號
受光面積
響應(yīng)波長
實(shí)物
芯片
封裝
尺寸
mm
面積
mm2
波峰
nm
響應(yīng)波段nm
AD500-10
TO5i
0.5
0.196
1
AD1500-10
TO5i
1.5
1.77
2
四、系列11(藍(lán)光增強(qiáng)雪崩二極管)
型號
受光面積
響應(yīng)波長
實(shí)物
芯片
封裝
尺寸
mm
面積
mm2
波峰
nm
響應(yīng)波段nm
AD800-11
TO52S1
Φ0.5
0.196
1
AD1900-11
TO5i
Φ1.5
1.77
2
五、InGaAs APD雪崩二極管
型號
受光面積
響應(yīng)波長
實(shí)物
芯片
封裝
尺寸
(um)
面積
(mm2)
波峰
(nm)
響應(yīng)波段
(nm)
IAE080X
Φ80
1550
1000-1650
1
IAE200X
Φ200
1550
1000-1650
2
APD雪崩二極管選型資料
一、系列8(高速高增益雪崩二極管)
型號
受光面積
響應(yīng)波長
實(shí)物
芯片
封裝
尺寸
mm
面積
mm2
波峰
nm
響應(yīng)波段nm
AD230-8
TO52S1
0.23
0.042
800
400-1100
1
AD230-8
TO52S3
0.23
0.042
800
400-1100
2
AD500-8
TO52S1
0.5
0.196
800
400-1100
3
AD500-8
TO52S3
0.5
0.196
800
400-1100
4
AD800-8
TO5i
0.8
0.5
800
400-1100
5
AD1100-8
TO5i
1.13
1
800
400-1100
6
AD1900-8
TO5i
1.95
3
800
400-1100
7
AD2500-8
TO5i
2.52
5
800
400-1100
8
AD100-8
TO52S1
0.1
0.00785
800
400-1100
9
二、系列9(近紅外增強(qiáng)雪崩二極管)
型號
受光面積
響應(yīng)波長
實(shí)物
芯片
封裝
尺寸
mm
面積
mm2
波峰
nm
響應(yīng)波段nm
AD230-9
TO52S1
0.23
0.042
880
400-1100
1
AD230-9
TO52S3
0.23
0.042
880
400-1100
2
AD500-9
TO52S1
0.5
0.196
880
400-1100
3
AD500-9
TO52S3
0.5
0.196
880
400-1100
4
AD800-9
TO5i
0.8
0.5
880
400-1100
5
AD1100-9
TO5i
1.13
1
880
400-1100
6
AD1900-9
TO5i
1.95
3
880
400-1100
7
AD2500-9
TO5i
2.52
5
880
400-1100
8
AD3000-9
TO5i
3.0
7.0
880
400-1100
9
AD5000-9
TO5i
5.0
20.0
880
400-1100
10
三、系列10(YAG增強(qiáng)雪崩二極管)
型號
受光面積
響應(yīng)波長
實(shí)物
芯片
封裝
尺寸
mm
面積
mm2
波峰
nm
響應(yīng)波段nm
AD500-10
TO5i
0.5
0.196
1
AD1500-10
TO5i
1.5
1.77
2
四、系列11(藍(lán)光增強(qiáng)雪崩二極管)
型號
受光面積
響應(yīng)波長
實(shí)物
芯片
封裝
尺寸
mm
面積
mm2
波峰
nm
響應(yīng)波段nm
AD800-11
TO52S1
Φ0.5
0.196
1
AD1900-11
TO5i
Φ1.5
1.77
2
五、InGaAs APD雪崩二極管
型號
受光面積
響應(yīng)波長
實(shí)物
芯片
封裝
尺寸
(um)
面積
(mm2)
波峰
(nm)
響應(yīng)波段
(nm)
IAE080X
Φ80
1550
1000-1650
1
IAE200X
Φ200
1550
1000-1650
2