HGTP5N120BND 分立半導體產品

• 發(fā)布時間：2018/3/13 16:26:18
• 所屬類別：電力半導體器件 » 其它電力半導體器件
• 公    司：深圳市嘉盛威科技有限公司

HGTP5N120BND 分立半導體產品屬性

HGTP5N120BND 分立半導體產品描述

數據列表 HGTG5N120BND, HGTP5N120BND;
TO220B03 Pkg Drawing;
標準包裝 50
包裝 管件
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
系列 -
IGBT 類型 NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 21A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 40A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.7V @ 15V，5A
功率 - 最大值 167W
開關能量 450μJ（開），390μJ（關）
輸入類型 標準
柵極電荷 53nC
25°C 時 Td（開/關）值 22ns/160ns
測試條件 960V，5A，25 歐姆，15V
反向恢復時間（trr） 65ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應商器件封裝 TO-220AB
PCN 封裝 Mult Devices 24/Oct/2017
Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
PCN 設計/規(guī)格 Logo 17/Aug/2017

圖像和媒體
產品相片 TO-220-3

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