分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI2308BDS-T1-GE3 晶體管 - FET

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：安富微（深圳）商貿(mào)有限公司

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI2308BDS-T1-GE3 晶體管 - FET屬性

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI2308BDS-T1-GE3 晶體管 - FET描述

SI2308BDS-T1-GE3介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 2.3A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 190pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.09W（Ta），1.66W（Tc）
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 156 毫歐 @ 1.9A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非�？�，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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