晶體管 HN1B01FU 雙極 (BJT) - 陣列
晶體管 HN1B01FU 雙極 (BJT) - 陣列屬性
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晶體管 HN1B01FU 雙極 (BJT) - 陣列描述
HN1B01FU介紹:
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 NPN,PNP
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 150mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 50V
不同 Ib,Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值) 300mV @ 10mA,100mA
電流 - 集電極截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值) 120 @ 2mA,6V
功率 - 最大值 200mW
頻率 - 躍遷 120MHz
工作溫度 125°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商器件封裝 US6
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在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會(huì)使得發(fā)射極到集電極之間,產(chǎn)生大電流;在場(chǎng)效應(yīng)晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。
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