存儲器 W9751G8KB-25 DRAM

• 發(fā)布時間：2019/7/9 14:58:36
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：安富微（深圳）商貿(mào)有限公司

存儲器 W9751G8KB-25 DRAM屬性

存儲器 W9751G8KB-25 DRAM描述

W9751G8KB-25介紹：
描述 IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
詳細(xì)描述 SDRAM - DDR2 存儲器 IC 512Mb （64M x 8） 并聯(lián) 400MHz 400ps 60-WBGA（8x12.5）
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Winbond Electronics
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR2
存儲容量 512Mb （64M x 8）
時鐘頻率 400MHz
寫周期時間 - 字，頁 15ns
訪問時間 400ps
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度 0°C ~ 85°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 60-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 60-WBGA（8x12.5）
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由于電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態(tài)存儲電路的各存儲單元執(zhí)行重讀操作，以保持電荷穩(wěn)定，這個過程稱為動態(tài)存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現(xiàn)的。

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