晶體管 IXGH60N30C3 半導(dǎo)體產(chǎn)品

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 IXGH60N30C3 半導(dǎo)體產(chǎn)品 屬性

晶體管 IXGH60N30C3 半導(dǎo)體產(chǎn)品 描述

IXGH60N30C3介紹：
描述 IGBT 300V 75A 300W TO247AD
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 24 周
詳細(xì)描述 IGBT 300V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 GenX3™
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零件狀態(tài) 在售
IGBT 類型 -
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 300V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 75A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 420A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 1.8V @ 15V，60A
功率 - 最大值 300W
開(kāi)關(guān)能量 150μJ（開(kāi)），300μJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 101nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值 23ns/108ns
測(cè)試條件 200V，30A，5 歐姆，15V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-247AD（IXGH）
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理論上和實(shí)際證明，不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作，而電子管的第二電源（乙電）最低也要數(shù)伏，最高也就1000多伏，所以晶體管能被用在更廣泛的電路中，使其他優(yōu)勢(shì)得以發(fā)揮。

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