晶體管 STB16NF06LT4 MOSFET

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 STB16NF06LT4 MOSFET屬性

晶體管 STB16NF06LT4 MOSFET描述

STB16NF06LT4介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 42 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 60V 16A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET™
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 16A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 90 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最�。�
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 45W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。

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