晶體管 NP20P04SLG MOSFET

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 NP20P04SLG MOSFET屬性

晶體管 NP20P04SLG MOSFET描述

NP20P04SLG介紹：
描述 MOSFET P-CH 40V 20A TO-252
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 40V 20A（Tc） 1.2W（Ta），38W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 20A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 25 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 34nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1650pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.2W（Ta），38W（Tc）
工作溫度 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-252（MP-3ZK）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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金氧半場(chǎng)效晶體管在概念上屬于“絕緣柵極場(chǎng)效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而IGFET的柵極絕緣層，有可能是其他物質(zhì)，而非金氧半場(chǎng)效晶體管使用的氧化層。

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