晶體管 MIMD10A-7-F 雙極 (BJT) - 陣列

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 MIMD10A-7-F 雙極 (BJT) - 陣列屬性

晶體管 MIMD10A-7-F 雙極 (BJT) - 陣列描述

MIMD10A-7-F介紹：
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 16 周
詳細(xì)描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預(yù)偏置
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
晶體管類(lèi)型 1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 100 歐姆，10 千歐
電阻器 - 發(fā)射極基底（R2） 10 千歐
不同 Ic，Vce 時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V
不同 Ib，Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大值） 500nA
頻率 - 躍遷 250MHz，200MHz
功率 - 最大值 200mW
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝 SOT-363
基本零件編號(hào) MD10A
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設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)一個(gè)復(fù)雜芯片的成本是相當(dāng)高的，但是當(dāng)分?jǐn)偟酵ǔ０偃f(wàn)個(gè)生產(chǎn)單位上，每個(gè)芯片的價(jià)格就是最小的。一個(gè)邏輯門(mén)包含20個(gè)晶體管，而2005年一個(gè)高級(jí)的微處理器使用的晶體管數(shù)量達(dá)2.89億個(gè)。

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