晶體管 IRF7313TR MOSFET - 陣列

• 發(fā)布時(shí)間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 IRF7313TR MOSFET - 陣列屬性

晶體管 IRF7313TR MOSFET - 陣列描述

IRF7313TR介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2W Surface Mount 8-SO
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能 標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 6.5A
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 29 毫歐 @ 5.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 33nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 650pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
基本零件編號(hào) IRF7313PBF
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)被破壞。每種型號(hào)的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。

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