晶體管 - FET AFT20P060-4NR3 MOSFET

晶體管 - FET AFT20P060-4NR3 MOSFET屬性

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晶體管 - FET AFT20P060-4NR3 MOSFET描述

AFT20P060-4NR3介紹：
描述 FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4
詳細描述 射頻 Mosfet LDMOS（雙） 28V 450mA 2.17GHz 18.9dB 6.3W OM780-4
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
制造商 NXP USA Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 LDMOS（雙）
頻率 2.17GHz
增益 18.9dB
電壓 - 測試 28V
額定電流 -
噪聲系數(shù) -
電流 - 測試 450mA
功率 - 輸出 6.3W
電壓 - 額定 65V
封裝/外殼 OM780-4
供應商器件封裝 OM780-4
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溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是n型，那么溝道也會是n型。溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據(jù)施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。

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