FDG6316P/

• 發(fā)布時間：2018/8/31 14:06:30
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市宏輝電子科技有限公司

FDG6316P/屬性

FDG6316P/描述

制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-323-6
通道數(shù)量: 2 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: - 12 V
Id-連續(xù)漏極電流: - 700 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 270 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Dual
Pd-功率耗散: 300 mW
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: PowerTrench
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.1 mm
長度: 2 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: FDG6316P
晶體管類型: 2 P-Channel
類型: MOSFET
寬度: 1.25 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 2.5 S
下降時間: 13 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 8 ns
典型接通延遲時間: 5 ns
零件號別名: FDG6316P_NL
單位重量: 28 mg
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