SI9952DY

• 發(fā)布時(shí)間：2018/8/31 14:06:30
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市宏輝電子科技有限公司

SI9952DY屬性

SI9952DY描述

制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
通道數(shù)量: 2 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: - 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: - 8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 29 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: - 1 V
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Dual
Pd-功率耗散: 5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
系列: SI4
晶體管類型: 2 P-Channel
寬度: 3.9 mm
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 23 S
下降時(shí)間: 12 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 8 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 45 ns
典型接通延遲時(shí)間: 10 ns
零件號(hào)別名: SI4925DDY-GE3
單位重量: 187 mg
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