晶體管 FQB11P06 MOSFET - 單

• 發(fā)布時間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 FQB11P06 MOSFET - 單屬性

晶體管 FQB11P06 MOSFET - 單描述

FQB11P06介紹：
描述 MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 4 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 P 溝道 60V 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），53W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET®
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 P 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 11.4A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 175 毫歐 @ 5.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 550pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），53W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK（TO-263AB）
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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以金氧半場效晶體管（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當(dāng)下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，現(xiàn)代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。

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