晶體管 IPB100N04S2-04 FET-MOSFET

• 發(fā)布時間：2019/7/9 14:58:36
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晶體管 IPB100N04S2-04 FET-MOSFET屬性

晶體管 IPB100N04S2-04 FET-MOSFET描述

IPB100N04S2-04介紹：

描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包裝 ? 帶卷（TR） ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 40V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 100A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3.3 毫歐 @ 80A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 172nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5300pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO263-3-2

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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因為MOSFET里代表“metal”的第一個字母M在當(dāng)下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)代的MOSFET柵極早已用多晶硅取代了金屬。

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