存儲器 IS42S86400D-7TLI-TR 集成電路

存儲器 IS42S86400D-7TLI-TR 集成電路屬性

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存儲器 IS42S86400D-7TLI-TR 集成電路描述

IS42S86400D-7TLI-TR介紹：

描述 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

詳細描述 SDRAM 存儲器 IC 512Mb （64M x 8） 并聯(lián) 143MHz 5.4ns 54-TSOP II

類別 集成電路（IC）

存儲器

制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列 -

包裝 帶卷（TR）

零件狀態(tài) 在售

存儲器類型 易失

存儲器格式 DRAM

技術 SDRAM

存儲容量 512Mb （64M x 8）

時鐘頻率 143MHz

寫周期時間 - 字，頁 -

訪問時間 5.4ns

存儲器接口 并聯(lián)

電壓 - 電源 3 V ~ 3.6 V

工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

供應商器件封裝 54-TSOP II

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日常使用的十進制數(shù)必須轉換成等值的二進制數(shù)才能存入存儲器中。計算機中處理的各種字符，例如英文字母、運算符號等，也要轉換成二進制代碼才能存儲和操作。



當要從DRAM芯片中讀出數(shù)據時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而后送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在芯片內部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在芯片內部。

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