晶體管 HN1B04FU-GR 雙極 (BJT) - 陣列
晶體管 HN1B04FU-GR 雙極 (BJT) - 陣列屬性
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晶體管 HN1B04FU-GR 雙極 (BJT) - 陣列描述
HN1B04FU-GR介紹:
描述 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 12 周
詳細(xì)描述 Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 帶卷(TR)
零件狀態(tài) 在售
晶體管類型 NPN,PNP
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 150mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 50V
不同 Ib,Ic 時的 Vce 飽和值(最大值) 250mV @ 10mA,100mA
電流 - 集電極截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 時的 DC 電流增益(hFE)(最小值) 200 @ 2mA,6V
功率 - 最大值 200mW
頻率 - 躍遷 150MHz
工作溫度 125°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商器件封裝 US6
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比電子管可靠100倍,耐沖擊、耐振動,這都是電子管所無法比擬的。另外,晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,放熱很少,可用于設(shè)計小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡便,有利于提高元器件的安裝密度。
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