存儲器 IS42S16400J-6TL 集成電路

• 發(fā)布時間：2019/7/9 14:58:36
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：安富微（深圳）商貿(mào)有限公司

存儲器 IS42S16400J-6TL 集成電路屬性

存儲器 IS42S16400J-6TL 集成電路描述

LM22678TJ-5.0介紹：
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 6 周
詳細描述 SDRAM 存儲器 IC 64Mb （4M x 16） 并聯(lián) 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列 -
包裝 托盤
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM
存儲容量 64Mb （4M x 16）
時鐘頻率 166MHz
寫周期時間 - 字，頁 -
訪問時間 5.4ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 3 V ~ 3.6 V
工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 54-TSOP II
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當(dāng)要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而后送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。然后保持WE=1，則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) - Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) 是為下列主要市場設(shè)計、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)袖：(I) 汽車、(II) 通信、(III) 數(shù)字消費、(IV) 工業(yè)/醫(yī)療。 高速、低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM 是該公司的主打產(chǎn)品。

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