IPA086N10N3G

• 發(fā)布時(shí)間：2019/1/4 9:26:30
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市宏輝電子科技有限公司

IPA086N10N3G屬性

IPA086N10N3G描述

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220FP-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 45 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 14 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 37.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Tube
高度: 16.15 mm
長(zhǎng)度: 10.65 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.85 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
CNHTS: 8541290000
下降時(shí)間: 8 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 10 ns
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 27 ns
典型接通延遲時(shí)間: 16 ns
零件號(hào)別名: IPA086N10N3GXKSA1 IPA86N1N3GXK SP000485984
單位重量: 6 g

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