IKW25N120T2

• 發(fā)布時間：2019/1/15 9:51:48
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市宏輝電子科技有限公司

IKW25N120T2屬性

IKW25N120T2描述

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 1.7 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 50 A
Pd-功率耗散: 349 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP IGBT
封裝: Tube
高度: 20.95 mm
長度: 15.9 mm
寬度: 5.3 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 200 nA
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量: 240
子類別: IGBTs
TARIC: 8541290000
商標(biāo)名: TRENCHSTOP
零件號別名: IKW25N120T2FKSA1 IKW25N12T2XK SP000244960
單位重量: 38 g所有產(chǎn)品保證原廠原裝環(huán)保。來電咨詢13923840661. 謝經(jīng)理
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