IPP041N12N3G
IPP041N12N3G屬性
- QQ議價(jià)
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- Infineon
IPP041N12N3G描述
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.5 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 211 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Tube
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
寬度: 4.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 83 S
CNHTS: 8541290000
下降時(shí)間: 21 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 52 ns
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 70 ns
典型接通延遲時(shí)間: 35 ns
零件號(hào)別名: IPP041N12N3GXKSA1 IPP41N12N3GXK SP000652746
單位重量: 6 g
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