SiHB33N60E-GE3

• 發(fā)布時間：2019/6/13 14:13:59
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市中意法電子科技有限公司

SiHB33N60E-GE3屬性

SiHB33N60E-GE3描述

FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 33A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 99 毫歐 @ 16.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 150nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3508pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 278W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

SiHB33N60E-GE3相關(guān)產(chǎn)品

HEDS-9140#F00

格  編碼器類型 光學(xué)  輸出類型 正交，帶刻度角（增量）  每轉(zhuǎn)脈沖數(shù) 256  電壓 - 電源 5V  致

MAX3243EIPWR

MAX3243EIPWR TI TSSOP28 10,000P 16+RoHS L/T; 2 days.  

LM3658SDX-ANOPB

原裝現(xiàn)貨，聯(lián)系QQ1148263302，電話13631676272

XC2C64A-7QFG48C

原廠一手貨源，特低價熱賣，全新進口原裝正品現(xiàn)貨，假一賠百！銷售熱線：13631676272

STM32F103RET6

核心處理器 ARM® Cortex®-M3  核心尺寸 32-位  速度 72MHz  連接性 CANbus，