FDA59N30
FDA59N30屬性
- TO-3P
- ON安森美
FDA59N30描述
FDA59N30 ON安森美原裝進口大功率N溝道MOS管
FDA59N30 封裝TO-3P FDA59N30參數為 300V 59A
FDA59N30詳細參數如下:
FDA59N30 規(guī)格表: FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 300V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 59A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 56 毫歐 @ 29.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 4670pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3PN
封裝/外殼 TO-3P-3,SC-65-3
深圳市興科泰科技有限公司
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更多原裝ON現貨物料: KSE340 KSE350 MJE350 MJE350 MJE15032 MJE15033
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