DMN10H120SE-13

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
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DMN10H120SE-13屬性

DMN10H120SE-13描述

DMN10H120SE-13
制造商: Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-4
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 110 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 10 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
系列: DMN10
晶體管類型: 1 N-Channel
商標(biāo): Diodes Incorporated
下降時(shí)間: 2.5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 1.8 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 11 ns
典型接通延遲時(shí)間: 3.8 ns
單位重量: 112 mg
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
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