DMN2004DWK-7
DMN2004DWK-7屬性
- 特價(jià)
- MOSFET Dual N-Channel
- MOSFET Dual N-Channel
- 特價(jià)
- Diodes
DMN2004DWK-7描述
DMN2004DWK-7
制造商: Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-363-6
通道數(shù)量: 2 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 540 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 550 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 500 mV
Qg-柵極電荷: 0.53 nC
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
高度: 1 mm
長度: 2.2 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: DMN2004
晶體管類型: 2 N-Channel
寬度: 1.35 mm
商標(biāo): Diodes Incorporated
下降時(shí)間: 10.5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 7.3 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13.8 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4.1 ns
單位重量: 6 mg
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