SI1012CR-T1-GE3

• 發(fā)布時間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
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SI1012CR-T1-GE3屬性

SI1012CR-T1-GE3描述

SI1012CR-T1-GE3
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-75-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 600 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 396 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 400 mV
Qg-柵極電荷: 1.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 240 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Reel
高度: 0.8 mm
長度: 1.575 mm
系列: SI1
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 0.76 mm
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 7.5 S
下降時間: 11 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 16 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 26 ns
典型接通延遲時間: 11 ns
零件號別名: SI1012CR-GE3
單位重量: 2 mg
網(wǎng)站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
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