BSS123W-7-F
BSS123W-7-F屬性
- 特價(jià)
- MOSFET 100V 200mW
- MOSFET 100V 200mW
- 特價(jià)
- Diodes
BSS123W-7-F描述
BSS123W-7-F
制造商: Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-323-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 170 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
高度: 1 mm
長度: 2.2 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: BSS123W
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Enhancement Mode Field Effect Transistor
寬度: 1.35 mm
商標(biāo): Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值: 0.08 S, 0.37 S
下降時(shí)間: 8 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 8 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns
典型接通延遲時(shí)間: 8 ns
單位重量: 5 mg
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