IRFBG20PBF
IRFBG20PBF屬性
- 晶體管 - FET,MOSFET - 單
- TO-220AB
- VISHAY
IRFBG20PBF描述
IRFBG20PBF 假一罰十,原裝進口正品現(xiàn)貨,長期供貨。。。。。一般信息
數(shù)據(jù)列表 IRFBG20,SiHFBG20;
標準包裝 50
包裝 管件
零件狀態(tài) 有源
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 -
其它名稱 *IRFBG20PBF
規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 1000V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 1.4A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 11 歐姆 @ 840mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 38nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 54W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
文檔
其它有關(guān)文件 Packaging Information
HTML 規(guī)格書 Packaging Information
PCN 設(shè)計/規(guī)格 Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019
圖像和媒體
產(chǎn)品相片 TO-220AB
TO-220AB
產(chǎn)品目錄繪圖 IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
視頻文件 MOSFET Technologies for Power Conversion