SIHP30N60E-GE3

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/30 14:10:17
• 所屬類(lèi)別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市晶美隆科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：吳小姐
• 

SIHP30N60E-GE3屬性

SIHP30N60E-GE3描述

SIHP30N60E-GE3 假一罰十，原裝進(jìn)口正品現(xiàn)貨熱賣(mài)，長(zhǎng)期供貨。。。。。。。。。。。。一般信息
數(shù)據(jù)列表 SiHP30N60E;
標(biāo)準(zhǔn)包裝 1,000
包裝 管件
零件狀態(tài) 有源
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 E
其它名稱(chēng) SIHP30N60E-GE3CT
SIHP30N60E-GE3CT-ND

規(guī)格
漏源電壓（Vdss） 600V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 130nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 100V

文檔
PCN 組件/產(chǎn)地 SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
PCN 設(shè)計(jì)/規(guī)格 Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019

圖像和媒體
產(chǎn)品相片 TO-220AB
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