FDP027N08B-F102

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/30 8:18:07
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：瀚佳科技（深圳）有限公司
• 聯(lián) 系 人：李
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FDP027N08B-F102屬性

FDP027N08B-F102描述

制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 223 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.21 mOhms
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 246 W
配置: Single
封裝: Tube
高度: 16.3 mm
長(zhǎng)度: 10.67 mm
系列: FDP027N08B
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.7 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 800
子類別: MOSFETs
零件號(hào)別名: FDP027N08B_F102



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