晶體管 SI2301CDS-T1-GE3

• 發(fā)布時間：2020/3/27 15:59:08
• 所屬類別：二極管 » 其他二極管
• 公    司：深圳市瑞卓芯科技有限公司

晶體管 SI2301CDS-T1-GE3屬性

晶體管 SI2301CDS-T1-GE3描述

品牌：Vishay
型號：SI2301CDS-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）

詳細(xì)描述 表面貼裝型-P-通道-20V-3.1A（Tc）-860mW（Ta）-1.6W（Tc）-SOT-23-3（TO-236）
一般信息
數(shù)據(jù)列表 SI2301CDS;
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài) 有源
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 TrenchFET®
其它名稱 SI2301CDS-T1-GE3TR
SI2301CDST1GE3

規(guī)格
FET 類型 P 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 3.1A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 112 毫歐 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 405pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 860mW（Ta），1.6W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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