FDV303N

• 發(fā)布時間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 貼片/片式/SMD三極管
• 公    司：深圳市川藍電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
• 

FDV303N屬性

FDV303N描述

制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
Id-連續(xù)漏極電流:680 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:450 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:350 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Reel
高度:1.2 mm
長度:2.9 mm
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:FDV303N
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:1.3 mm
商標:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值:1.45 S
下降時間:8.5 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:8.5 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:17 ns
典型接通延遲時間:3 ns
零件號別名:FDV303N_NL
單位重量:8 mg


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