SI7108DN-T1-E3

• 發(fā)布時間：2020/3/30 14:10:17
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市晶美隆科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：吳小姐
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SI7108DN-T1-E3屬性

SI7108DN-T1-E3描述

SI7108DN-T1-E3 假一罰十，原裝進(jìn)口正品現(xiàn)貨供應(yīng)，價格優(yōu)勢。。。。。。。。。。。。規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 14A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.9 毫歐 @ 22A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 30nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±16V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK® 1212-8
封裝/外殼 PowerPAK® 1212-8

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