RJU003N03T106

• 發(fā)布時(shí)間：2020/5/29 11:26:13
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市博浩宇科技有限公司

RJU003N03T106屬性

RJU003N03T106描述

25H5000G
RJU003N03T106
RJU003N03T106
TDA8012M/C1
0603SFS500F/32-2
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MEK02-03T2-T2
ME6206A18PG
ME6206A30PG
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UC3854BDWTR
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MC96FR332BDRB(T)
ACT357AUC-T(PSRN)
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RB051L-40
NTD40N03RT4G
WM8216SEFL
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ICE1PCS02
4116R-1-101LF
M494B1
PS224C1
MBR6045WT
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FT93C46A-USR-T
RH04-T
IPD20N03L
IPD20N03L
STPSC8H065D
STPSC8H065D
MC14584BDR
NS0013LF
FD2500B2T-208LF
FDS6912A-NL
FDS4435BZ
UPG2179TB-E4-A
M95010-MN6T
M95080-MN6T
M95320-RMN6TP
IRFR1018EPBF
UPG2179TB-E4-A
SJ-S-112LM
TLP181GB
V40100G
LV23002M-TLM
M95010-MN6T
M95320-RMN6TP
規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 300mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.1 歐姆 @ 300mA，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1mA
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 24pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200mW（Ta）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 UMT3
封裝/外殼 SC-70，SOT-323
TONY.ZOU（鄒澤凱）
****************************************************************
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Mobile：；QQ：361227457
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