IRF5800TR

IRF5800TR屬性

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IRF5800TR描述

ST3232CTR
SP7611AEC6
SP3232ECY-L/TR
SPB-2026Z
SPB2026Z
SPX3819M5-L-2.5/TR
SPX5205M5-L-2.5
SP4425CU-L
SP3223EEA-L/TR
SP6201EM5-L-1.8/TR
SP3232EEA-L/TR
SP232ACN-L/TR
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DG2513DN-T1-E4
DG9636EN-T1-E4
DG9636EN-T1-E4
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B7837
B7834
IRF5800TR
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SN74LVC1G98DCKR
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N74F14D
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RYT9026043/3
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CM1218-04SE
CM2830AGSIM89TR
CM2830ASIM89TR
CMPD2838TR
規(guī)格
FET 類型 P 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 4A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 85 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 535pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 Micro6™（TSOP-6）
封裝/外殼 SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
TONY.ZOU（鄒澤凱）
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