FQT1N60CTF
FQT1N60CTF屬性
- 晶體管表面貼裝型-N-通道
- TO-261-4,TO-261AA
FQT1N60CTF描述
IRFH4251DTRPBF
ATMEGA88PA-MU
FQT1N60CTF
HY5PS1G1631CFP-S6
11232-A0F09H06TL
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BCT4222BETB
BCT4227ETB
BCT4222CEAB-TR
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BCT4222AETB
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SII3114CTU
SII3114CTU
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RT9641CPS
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AD9200ARSZ
CY2309CZXC-1H
IRF7530TRPBF
MM3154XURE
LP38502ASD-ADJ/NOPB
IRGP50B60PDPBF
TLE4250G
ZR36778HQCG
TC7WP3125FC
PI6C10804WEX
MQ7801T120
規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 200mA(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 11.5 歐姆 @ 100mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 6.2nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 170pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.1W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 SOT-223-4
封裝/外殼 TO-261-4,TO-261AA
TONY.ZOU(鄒澤凱)
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