NSS12200LT1G
- 發(fā)布時(shí)間：2020/6/24 14:55:51
- 所屬類(lèi)別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市博浩宇科技有限公司
NSS12200LT1G屬性
- 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
- Cut Tape
- ON Semiconductor
NSS12200LT1G描述
產(chǎn)品屬性屬性值搜索類(lèi)似
制造商:ON Semiconductor
產(chǎn)品種類(lèi):雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
晶體管極性:PNP
配置:Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 12 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 12 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 7 V
集電極—射極飽和電壓:- 0.13 V
最大直流電集電極電流:- 4 A
Pd-功率耗散:540 mW
增益帶寬產(chǎn)品fT:100 MHz
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
系列:NSS12200L
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.94 mm
長(zhǎng)度:2.9 mm
技術(shù):Si
寬度:1.3 mm
商標(biāo):ON Semiconductor
集電極連續(xù)電流:- 2 A
直流集電極/Base Gain hfe Min:250
產(chǎn)品類(lèi)型:BJTs - Bipolar Transistors
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:3000
子類(lèi)別:Transistors
單位重量:8 mg
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公網(wǎng)安備44030402000607
