CSD17313Q2

• 發(fā)布時(shí)間：2020/7/3 15:01:58
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：八零友創(chuàng)集團(tuán)

CSD17313Q2屬性

CSD17313Q2描述

規(guī)格
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WSON-6
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 30 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 900 mV
Qg-柵極電荷: 2.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 17 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 0.75 mm
長度: 2 mm
系列: CSD17313Q2
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
寬度: 2 mm
商標(biāo): Texas Instruments
開發(fā)套件: TMDSCSK388, TMDSCSK8127
下降時(shí)間: 1.3 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 3.9 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 4.2 ns
典型接通延遲時(shí)間: 2.8 ns
單位重量: 8.700 mg

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