BSC120N03LS
BSC120N03LS屬性
- 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
- Infineon
BSC120N03LS描述
BSC120N03LS G描述制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:無鉛環(huán)保
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:TDSON-8
通道數(shù)量:1Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30V
Id-連續(xù)漏極電流:39A
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻:10mOhms
Vgs-柵極-源極電壓:20V
Vgsth-柵源極閾值電壓:1V
Qg-柵極電荷:15nC
最小工作溫度:-55C
最大工作溫度:+150C
Pd-功率耗散:28W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:OptiMOS
封裝:Reel
高度:1.27mm
長度:5.9mm
系列:OptiMOS3
晶體管類型:1N-Channel
寬度:5.15mm
商標(biāo):InfineonTechnologies
正向跨導(dǎo)-最小值:25S
下降時間:2.2ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:2.2ns
工廠包裝數(shù)量:5000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:12ns
典型接通延遲時間:2.7ns
零件號別名:BSC120N03LSGSP000302848
單位重量:242mg
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聯(lián)系方式
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