SI1308EDL-T1-GE3

發布時間：2020/8/3 10:00:32
所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
公司：深圳市金嘉銳電子有限公司
聯系人：朱先生

SI1308EDL-T1-GE3屬性

本站價格：
用途：MOSFET
規格：SOT-323-3
市場價格：
生產廠家：Vishay

SI1308EDL-T1-GE3描述

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-323-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 1.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 132 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 600 mV
Qg-柵極電荷: 2.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 2.1 mm
系列: SI1
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 1.25 mm
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 5 S
下降時間: 8 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 9 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 8 ns
典型接通延遲時間: 2 ns
零件號別名: SI1304BDL-T1-GE3 SI1300BDL-T1-GE3
單位重量: 5 mg