IRLML6402TRPBF
IRLML6402TRPBF屬性
- 優(yōu)勢(shì)
- 晶體管 - FET
- MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
- 優(yōu)勢(shì)
- Infineon
IRLML6402TRPBF描述
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 無(wú)鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 65 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 2.9 mm
晶體管類(lèi)型: 1 P-Channel
寬度: 1.3 mm
商標(biāo): Infineon / IR
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類(lèi)別: MOSFETs
單位重量: 41 mg
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