TPS259270DRCR
TPS259270DRCR屬性
- 實(shí)時(shí)報(bào)價(jià)
- 電子產(chǎn)品
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- TI
TPS259270DRCR描述
TPS25927 的特性
4.5V 至 18V 保護(hù)
集成 28mΩ 通路 MOSFET
絕對(duì)最大電壓 20 V
1-A 至 5-A 可調(diào) I LIMIT
3.7A 時(shí)±8% I限制精度
反向電流阻斷支持
可編程輸出壓擺率,UVLO
內(nèi)置熱關(guān)斷
UL 2367 認(rèn)可 – 文件編號(hào) E339631*
*RILIM ≤ 130 kΩ(最大 5 A)
在單點(diǎn)故障測試期間安全 (UL60950)
小尺寸 – 10L (3 mm x 3 mm) VSON
TPS25927x 系列 eFuse 是一種采用微型封裝的高度集成的電路保護(hù)和電源管理解決方案。該器件使用很少的外部元件并提供多種保護(hù)模式。它們是防止過載、短路、過大浪涌電流和反向電流的強(qiáng)大防御措施。
可以使用單個(gè)外部電阻器設(shè)置電流限制水平。具有特殊電壓斜坡要求的應(yīng)用可以使用單個(gè)電容器設(shè)置 dV/dT 引腳,以確保適當(dāng)?shù)妮敵鲂逼滤俾省?br />
許多系統(tǒng)(例如 SSD)必須不允許保持電容能量通過 FET 體二極管轉(zhuǎn)儲(chǔ)到下垂或短路的輸入總線上。BFET 引腳用于此類系統(tǒng)。外部 NFET 可以與 TPS25927x 輸出和由 BFET 驅(qū)動(dòng)的柵極“背對(duì)背 (B2B)”連接,以防止電流從負(fù)載流向源極。