SAM2653

• 發(fā)布時(shí)間：2021/9/7 14:53:31
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市興科泰科技有限公司

SAM2653屬性

SAM2653描述

DREAM原裝DSP芯片
型號(hào)： SAM2653
封裝: LQFP128
常備優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨，只做原裝
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）屬于寬禁帶（WBG）材料，他們本身所具有的更高開(kāi)關(guān)頻率、工作溫度和電壓處理能力等特性，對(duì)能效和開(kāi)關(guān)頻率SAM2653極其敏感的應(yīng)用而言極其珍貴，比如數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車等。在應(yīng)用上，GaN一般用于小于1000V，低于3kSAM2653W的應(yīng)用。SiC的電壓通常超過(guò)1000V，并且電流水平更高，如50A及以上，主要用作大功率高頻功率器件。根據(jù)IHS的預(yù)估，SiC今年將有近5000萬(wàn)美元的市場(chǎng)份SAM2653額（不包含電動(dòng)汽車、軍事和航空）。由于在電源供應(yīng)器、不間斷電源（UPS）、電動(dòng)汽車充電、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，以及光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷深入，到2028SAM2653年，SiC的市場(chǎng)份額有望上升到1.6億美元。

英飛凌的碳化硅家族

隨著市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)展，現(xiàn)在進(jìn)入SiCSAM2653 MOSFET領(lǐng)域的企業(yè)越來(lái)越多，總體來(lái)看，英飛凌是全球市場(chǎng)占有率最高的供應(yīng)商。據(jù)英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源SAM2653介紹，在整個(gè)功率器件（Power Device）市場(chǎng)，英飛凌還是獨(dú)家掌握Si、SiC和GaN等所有功率半導(dǎo)體技SAM2653術(shù)的公司，目前公司的硅產(chǎn)品包括低壓MOS、高壓MOS，以及IGBT等。

在SiC材料中，肖特基二極管可以SAM2653達(dá)到更高的擊穿電壓。目前英飛凌的SiC產(chǎn)品系列覆蓋了600V、650V、1200V的肖特基二極管。在SiC MOSAM2653SFET方面，英飛凌的CoolSiC™ MOSFET系列是首款SAM2653面向光伏逆變器、電池充電設(shè)備及儲(chǔ)能裝置的產(chǎn)品，已經(jīng)面世的1200V CoolSiC™ MOSFET，其優(yōu)勢(shì)包括：SAM26531200V級(jí)開(kāi)關(guān)中最低的門極電荷SAM2653和器件電容電平、反并聯(lián)二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、低切換損耗不受溫度影響以及無(wú)閾值導(dǎo)通特性。今年2月底，英飛凌再SAM2653次推出8個(gè)SAM2653CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步豐富了公司的SiC產(chǎn)品線，有力地拓展了公司CoolSiC MOSFET的市場(chǎng)邊界。

650V CoolSiC™ MOSFET的優(yōu)勢(shì)和價(jià)值

650 V CoolSiC™ MOSFET器件的額定值在27 mΩ~107 mΩ之間，既可采用典型的TO-247 3引腳封裝，也支持開(kāi)關(guān)損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過(guò)去發(fā)布的CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品相比，全新的650V CoolSiC™ MOSFET系列基于英飛凌先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體技術(shù)，通過(guò)最大限度地發(fā)揮SiC強(qiáng)大的物理特性，確保了器件具有出色的可靠性、出類拔萃的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。此外，器件還具備最高的跨導(dǎo)水平（增益）、4V的閾值電壓（Vth）和短路穩(wěn)健性�？傊�，溝槽技術(shù)的采用，使得650V CoolSiC™ MOSFET在應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)最低的損耗，并在運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)最佳的可靠性。

650 V CoolSiC™ MOSFET最具價(jià)值的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

RDS(on)與溫度的相關(guān)性達(dá)到最佳：通常，超低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）與溫度密切相關(guān)。當(dāng)器件在高溫下運(yùn)行時(shí)，優(yōu)異的導(dǎo)熱性能特別重要。得益于超低（RDS(on)），650 V CoolSiC™ MOSFET具備出色的熱性能。通過(guò)陳清源的詳細(xì)分析，我們了解到：由于不能達(dá)到100%的轉(zhuǎn)換效率，電源系統(tǒng)在工作時(shí)一定會(huì)產(chǎn)生熱量，致使環(huán)境溫度過(guò)高。Si、SiC和GaN均是具有正溫度系數(shù)物理特性的材料，也就是說(shuō)，溫度越高，RDS(on)越高。在100℃溫度下，三者相比，SiC的RDS(on)變化比Si少32%，比GaN少26%。意味著，在高溫狀態(tài)下，SiC的效能高于GaN和Si。

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