IPD65R600C6

• 發(fā)布時(shí)間：2021/9/15 14:46:48
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

IPD65R600C6屬性

IPD65R600C6描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 7.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 540 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 23 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 13 ns
高度: 2.3 mm
長(zhǎng)度: 6.5 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9 ns
系列: CoolMOS C6
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 80 ns
典型接通延遲時(shí)間: 12 ns
寬度: 6.22 mm
零件號(hào)別名: IPD65R6C6XT SP000745020 IPD65R600C6BTMA1
單位重量: 330 mg

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