SQD50P06-15L-GE3

• 發(fā)布時(shí)間：2021/9/17 11:03:08
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

SQD50P06-15L-GE3屬性

SQD50P06-15L-GE3描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 13.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 150 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時(shí)間: 39 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 50 S
高度: 2.38 mm
長度: 6.73 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 12 ns
系列: SQ
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 112 ns
典型接通延遲時(shí)間: 15 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg

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