IPW60R070C6
- 發(fā)布時間：2021/9/27 11:13:41
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰樁電子有限公司
IPW60R070C6屬性
- IPW60R070C6
- INFINEON
IPW60R070C6描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 53 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 63 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 170 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 391 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolMOS
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 5 ns
高度: 21.1 mm
長度: 16.13 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
系列: CoolMOS C6
工廠包裝數(shù)量: 30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: 600 V CoolMOS C6 Power Transistor
典型關(guān)閉延遲時間: 83 ns
典型接通延遲時間: 16 ns
寬度: 5.21 mm
零件號別名: SP000645060 IPW6R7C6XK IPW60R070C6FKSA1
單位重量: 6 g
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公網(wǎng)安備44030402000607
